SK hynix تولید انبوه حافظه 12 لایه HBM3E با ظرفیت 36 گیگابایت را آغاز کرد.

Источник изображения: SK hynix

روز قبل، شرکت کره جنوبی SK hynix در رسمی خود بیانیه مطبوعاتی اعلام کرد که تولید انبوه حافظه HBM3E با پشته های 12 لایه با ظرفیت 36 گیگابایت را آغاز کرده است. این نه تنها مدرن ترین حافظه از این نوع، بلکه بزرگ ترین حافظه ای است که در حال حاضر تولید شده است. مشتریان SK hynix این حافظه را تا پایان سال جاری دریافت خواهند کرد.


  منبع تصویر: SK hynix

منبع تصویر: SK hynix

حدس زدن اینکه انویدیا جزو این مشتریان خواهد بود سخت نیست، زیرا SK hynix همچنان تامین کننده اصلی HBM توسط توسعه دهندگان شتاب دهنده محاسباتی و پردازنده گرافیکی در چندین نسل است. تا به حال، همانطور که در بیانیه مطبوعاتی شرکت کره جنوبی ذکر شده است، حداکثر ظرفیت 24 گیگابایتی توسط پشته 8 لایه HBM3E ارائه می شد. این شرکت موفق شد تراشه‌های DRAM را که پشته را تشکیل می‌دهند 40 درصد نازک‌تر کند، که در نهایت باعث شد ظرفیت پشته 50 درصد نسبت به نسخه 8 لایه افزایش یابد. SK hynix ارسال پشته های 8 لایه HBM3E را در مارس سال جاری آغاز کرد، بنابراین تنها در شش ماه به این پیشرفت دست یافت.

از سال 2013، SK hynix طیف کاملی از تراشه های خانواده HBM را عرضه می کند. سرعت انتقال اطلاعات در پشته 12 لایه HBM3E به 9.6 گیگابیت بر ثانیه می رسد. افزایش تعداد لایه ها در یک پشته در حالی که ضخامت هر لایه را کاهش می دهد با بهبود خواص هدایت حرارتی 10 درصد نسبت به نسل قبلی حافظه همراه است. در معاملات صبحگاهی در سئول، سهام SK hynix پس از اعلام شروع تولید جدیدترین خانواده حافظه های HBM، 8.3 درصد افزایش یافت. در مجموع از ابتدای سال تاکنون سهام این شرکت بیش از 25 درصد افزایش قیمت داشته است. چنین پویایی همچنین با پیش بینی درآمد مطلوب برای سه ماهه جاری توسط سازنده حافظه رقیب Micron Technology تسهیل شد.






اگر متوجه خطایی شدید، آن را با ماوس انتخاب کرده و CTRL+ENTER را فشار دهید.

منبع: https://3dnews.ru/1111556