تلاش های اینتل برای به دست آوردن مجدد رهبری فناوری در لیتوگرافی تا نیمه دوم دهه نمی تواند توسط رهبر فعلی در شخص شرکت تایوانی TSMC بی پاسخ بماند و به همین دلیل این هفته اعلام کرد که قصد دارد بر تولید 1.6 نانومتر مسلط شود. تراشه ها تا نیمه دوم سال 2026.
منبع تصویر: TSMC
برای این اظهارات، مدیریت TSMC از سایت سمپوزیوم فناوری آمریکای شمالی در کالیفرنیا استفاده کرد که به طور غیرمستقیم نه تنها به رقابت با اینتل در این زمینه، بلکه به آمادگی TSMC برای پیاده سازی فناوری پیشرفته در خاک آمریکا اشاره کرد. به یاد بیاوریم که تعهد به راه اندازی تولید تراشه با استفاده از فناوری 2 نانومتری در ایالات متحده در این دهه یکی از شروط TSMC برای دریافت یارانه از مقامات این کشور شد. هنوز هیچ اطلاعاتی در مورد اینکه آیا فناوری فرآیند 1.6 نانومتری توسط شرکت‌های TSMC آمریکایی تسلط پیدا می‌کند یا خیر وجود ندارد و در چه بازه زمانی این اتفاق می‌افتد.
نمایندگان TSMC تنها توضیح دادند که فناوری 1.6 نانومتری می تواند به طور قابل توجهی چگالی عناصر منطقی و عملکرد آنها را در مقایسه با فرآیند N2P افزایش دهد. به طور خاص، سرعت سوئیچینگ ترانزیستورها در یک ولتاژ ثابت 8-10٪ افزایش می یابد، مصرف برق با همان سرعت 15-20٪ کاهش می یابد و در بخش سرور، چگالی ترانزیستورها 1.1 برابر افزایش می یابد. . در طول مسیر، گزارش شده است که علاوه بر ساختار ترانزیستورها با گیت اطراف، که رقیب سامسونگ شروع به استفاده از آن به عنوان بخشی از فناوری فرآیند 3 نانومتری خود کرد، TSMC از منبع تغذیه در سمت عقب سیلیکون نیز استفاده خواهد کرد. ویفر هنگام تولید تراشه با استفاده از فناوری A16. اینتل قصد دارد از این راه حل برای تولید تراشه با استفاده از فناوری های 20A و 18A از سال 2025 استفاده کند.
TSMC گزارش می دهد که فناوری فرآیند N2 باید در نیمه دوم سال 2025 در تولید انبوه تسلط یابد و پس از آن سازنده روی فناوری فرآیند A16 کار خواهد کرد. در سال 2025، این شرکت همچنین بر فرآیند فنی N4C مسلط خواهد شد که با N4P در هزینه تولید تراشه با پیچیدگی کم 8.5٪ کاهش می یابد. علاوه بر این، بازده محصولات مناسب از این فرآیند باید بیشتر باشد.
به گفته نمایندگان TSMC، این شرکت با در نظر گرفتن نیازهای شرکت های خاصی که علاقه مند به امکان تولید تراشه برای سیستم های هوش مصنوعی با کمک آن هستند، توسعه فناوری A16 را سرعت بخشیده است. قابل ذکر است که اسکنرهای لیتوگرافی High-NA EUV احتمالا برای تولید 1.6 نانومتری TSMC مورد نیاز نخواهند بود. اولین مشتریان TSMC که از فناوری فرآیند A16 استفاده می‌کنند، توسعه دهندگان شتاب‌دهنده‌های محاسباتی و پردازنده‌های گوشی‌های هوشمند خواهند بود، همانطور که معمولاً اتفاق می‌افتاد.
بیاد داشته باشیم که اینتل قرار است تا پایان سال 2026 یا اوایل سال 2027 بر فرآیند 14A مسلط شود، اما تفاوت در رویکرد تولیدکنندگان برای ارزیابی پارامترهای هندسی اساسی فناوری های لیتوگرافی آنها اجازه مقایسه مستقیم راه حل های تولید کنندگان مختلف را نمی دهد. در هر صورت، TSMC تا سال 2026 بر فرآیند A16 مسلط خواهد شد و سامسونگ قصد دارد تا سال 2027 تولید تراشه های کلاس 1.4 نانومتری را آغاز کند.
TSMC همچنین فناوری یکپارچه سازی اجزای نیمه هادی را بهبود خواهد بخشید. تا سال 2027، نوعی از فناوری CoWoS تسلط پیدا خواهد کرد که امکان ادغام تراشه‌ها با چندین کریستال غیرمشابه، حافظه نوع HBM و سایر اجزا را در سطح ویفر سیلیکونی فراهم می‌کند. تا پایان سال آینده، روش‌های جدید بسته‌بندی تراشه تایید می‌شود که با افزایش نیاز به قابلیت اطمینان و ایمنی در بخش خودروسازی مورد استفاده قرار می‌گیرد. ادغام فوتونیک سیلیکون نیز تکامل خواهد یافت و تا سال 2026 امکان ادغام مستقیم اتصالات نوری در سطح بسته بندی تراشه های نیمه هادی را فراهم می کند.
اگر متوجه خطایی شدید، آن را با ماوس انتخاب کرده و CTRL+ENTER را فشار دهید.
منبع: https://3dnews.ru/1103815